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射頻導(dǎo)納物位開關(guān)

射頻導(dǎo)納物位開關(guān)

文字:[大][中][小] 2024-05-12 16:32:28    瀏覽次數(shù):    

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   一、產(chǎn)品原理及應(yīng)用

古大GDAS51 射頻導(dǎo)納物位開關(guān)的探測極棒與金屬容器罐壁之間具有電容特性,由此構(gòu)成一個電橋電路,振蕩電路產(chǎn)生的射頻振蕩信號加在這個電橋上。當(dāng)被測介質(zhì)未接觸到探測極棒時,電橋處于平衡狀態(tài),沒有輸出信號,而當(dāng)被測介質(zhì)填充到探測極棒與罐壁之間時,由于被測介質(zhì)的電特性與空氣不同,會引起電橋電路的不平衡,從而產(chǎn)生輸出信號。可應(yīng)用于液體、固體等復(fù)雜過程條件的測量。

二、產(chǎn)品參數(shù)

探測組件材料: PPS/不銹鋼 316L 

過程溫度: -50~150°C

過程壓力: -1.0~64bar

信號輸出: 一個單刀雙擲繼電器,接點容量 250V/5A


過程連接: G¾A

長度: 0.4~3m; 0.3~10m

供電方式: 24V DC±10% 220V DC±10%

三、 GDAS51系列射頻導(dǎo)納物位開關(guān)選型表


GDAS51選型代碼說 明
儀表種類A高精度、高穩(wěn)定性
B高穩(wěn)定性
C中等普通工業(yè)用
D一般工業(yè)用
供電電壓A24V
B220V
電纜進線MM20×1.5
N½NPT
T1特殊要求
現(xiàn)場顯示A
X不帶
T2特殊要求
帶散熱片/過程溫度A帶/-40 C....+150 °C
X不帶/-40 C....+80 °C
T3特殊要求
長度(mm)A四位數(shù)字
T4特殊要求


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